मजबूत एसिड प्रतिरोधी आधार उद्योग के लिए नैनो संरक्षक पेंट: रासायनिक निष्क्रिय अणु डिजाइन से चरम पीएच पर्यावरण वर्णक्रमीय सुरक्षा तक

कोर निष्कर्ष: 1. मजबूत एसिड प्रतिरोधी क्षार विशेष उद्योग के लिए नैनो-deprecative पेंट नैनोAl2O3 / ZrO2 / SiC सिरेमिक फिलिंग (10-50nm कण आकार, Mox 8-9.5 डिग्री हार्ड) और silooxane/fluorinated राल निर्माण रासायनिक जड़ - Si-O-Si-Si-interlink - 20% H2SO4/HCl/Naoh प्रकाश, बुलबुले और नरमी के नुकसान के बिना 7-30 दिन गर्भवती। Atomfair UGL-9 नैनोप्रतिरोधी क्षार कोटिंग्स में 7H (pent), 1000h स्टेनलेस नमक mists (एएसटीएम B117), Razefa की कठोरता है जिसमें > 12MPa (ISO 4624) का ध्यान रखा गया है - रासायनिक मीडिया प्रदर्शन और यांत्रिक प्रदर्शन के बीच इष्टतम संतुलन। SIOResin SIO-8161H हाइड्रो-नैप सिरेमिक कोटिंग्स तापमान के लिए प्रतिरोधी हैं > 1000 °C (पीक 1500 °C) और 9H (कोल + थर्मल) हार्ड - गर्म और ठंडा। 3. रासायनिक प्रतिक्रिया आंतरिक दीवारें (80-120°C, pH1-14 वैकल्पिक), इलेक्ट्रोप्लाटिंग टैंक (क्रोमिक एसिड / सल्फेट / साइनाइड), सीवेज ट्रीटमेंट टैंक (H2S / NH3 / जैविक एसिड सह जंग) और चिमनी desulphurization सिस्टम (SO2 / SO3 क्रायोकोलेट विघटन) चार मुख्य अनुप्रयोग हैं।。

रासायनिक, धातुकर्म, विद्युतीकरण, दवा उद्योगों में उपकरण और संरचनाएं लंबी अवधि के लिए संक्षारक मीडिया के लिए बहुत उच्च पीएच रेंज के साथ उजागर होती हैं - मोटी सल्फ्यूरिक एसिड (PH14) से उच्च तापमान (80-300 °C) और यांत्रिक पहनने तक। पारंपरिक epoxy/polyurethane कोटिंग्स का उपयोग जीवन के लिए ऐसे चरम रासायनिक वातावरण में किया गया है क्योंकि मजबूत एसिड प्रतिरोधी क्षार के लिए विशेष उद्योग के नैनोप्टी पेंट आमतौर पर राल-लेपित रसायन विज्ञान के नीचे डिजाइन से शुरू होते हैं, कार्बनिक C-O-C को एक अकार्बनिक Si-O-Si कुंजी के साथ बदल देते हैं - सिरेमिक स्तरों पर कोटिंग्स की रासायनिक जड़ता को बढ़ाते हैं।。

रासायनिक निष्क्रिय आणविक डिजाइन - क्यों - Si-O-Si - एसिड या क्षारीय से डर नहीं है?

प्रत्यक्ष उत्तर: पारंपरिक epoxy/polyurethane पेंट्स के लिए क्रॉस-की C-O-C-ether कुंजी (लगभग 358 kJ/mol) या एस्टर कुंजी (COO-, लगभग 360kJ/mol) - एसिड उत्प्रेरक (H+) या क्षार उत्प्रेरक (OH-) के तहत हाइड्रोलिसिस और फ्रैक्चर - यह एक मजबूत एसिड क्षार वातावरण में कोटिंग्स की विफलता का अंतर्निहित रासायनिक कारण है। नैनो संरक्षक पेंट्स सिलोक्सैन / slullo-gel पूर्व-exposures (जैसे ETHYL TEOS + MTES) का संयोजन के रूप में उपयोग करते हैं - Si-inorganic नेटवर्क का ठोसकरण और गठन। Si-O कुंजी (लगभग 452kJ/mol) C-O कुंजी की तुलना में लगभग 26% अधिक है, और अधिक महत्वपूर्ण रूप से - Si-O-Si कुंजी अम्लीय स्थितियों के तहत हाइड्रोलिटिक नहीं है (जिसको F-catalysing या hyperalkali/high तापमान की आवश्यकता होती है) - इसका मतलब यह है कि कोटिंग पीएच 1-14 की पूरी श्रृंखला में संयुग्म संरचनाओं की अखंडता को बनाए रखती है।。

संस्थागत विवरण - नैनोफैट फिलिंग की सह-लाभ वृद्धि। रासायनिक निष्क्रिय राल मैट्रिक्स & #8221; निष्क्रिय रक्षा और #8221; Nami Al2O3 (Mow 9, कण आकार 20-40nm) / ZrO2 (Mow 8.5, फ्रैक्चर लचीलापन > 10MPA.m1 ⁄2 - विरोधी फिसिल) / SiC (Mow 9.5, कण आकार 20-50nm) सिरेमिक भरने की आपूर्ति और #8221; सक्रिय सुदृढीकरण और # 8221; (1) भौतिक भराव - नैनो सिरेमिक कण रेजिन (0.5-2nm छेद) की मुफ्त मात्रा पर कब्जा करते हैं और 80-95% तक संक्षारक माध्यम के प्रभावी प्रसार वाले गलियारे क्षेत्र को कम करते हैं - H9.5AH-Cl-Per संक्षारक मीडिया में ठोस कण (जैसे, अयस्क-स्लुर्री / slurry), पूर्व-खाली संक्षारक प्रदर्शन पारंपरिक epoxy की तुलना में तीन से पांच गुना अधिक है।。

डेटा समर्थन: Atomfair UGL-9 प्रणाली (Nami Al2O3 / ZroO2 / TiO2 / Sio2 + silooxane चौराहे): 20% H2SO4 / 20% HCl / 20% NaOH / 20% HNO3 / कार्बनिक अम्ल (Agrate / Lemexic acid) - कमरे का तापमान 7-30 दिन - कोटिंग में प्रकाश का कोई नुकसान नहीं (20° प्रकाश परिवर्तन 5H)। नमक कोहरे 1000h: कोई बुलबुले, कोई जंग नहीं। > 12 एमपीए (आईएसओ 4624, विनाश मोड में 100% संलयन विनाश - कोटिंग निवेश की तुलना में कम तीव्रता है)। निर्मित हाइड्रो-फ्लोरिनेटेड नैनोप्लेट पेंट्स (साल्ट-प्रतिरोधी थैलियम 3000h, 98% H2SO4 लीचिंग 1200h के लिए प्रतिरोधी - चरम सल्फेट जंग)। SIORESIN SIO-8161H (नैप सिरेमिक पानी प्रणाली): तापमान प्रतिरोधी> 1000 °C निरंतर / 1500 °C अल्पकालिक शिखर - थर्मल भूकंपीय प्रयोगों (1,000 °C → 20 °C जलीय, 10 बार बार) को उजागर किया गया है, अलग किया गया, फीका पड़ा।。

स्रोत: Atomfair UGL-9 टीडीएस, SIORESIN SIO-8161H टीडीएस, स्टेट पेंटिंग तकनीकी डेटा, ASTM D714, ASTM B117, ISO 4624

चार मुख्य अनुप्रयोग परिदृश्य - रासायनिक प्रतिक्रियाओं से चिमनी desulfur

दृश्य एक: रासायनिक प्रतिक्रिया दीवार (80-120°C, pH 1-14) आंतरायिक प्रतिक्रिया कंबल उच्च एसिड (esterification) - मजबूत क्षार (मध्यम) - कार्बनिक विलायक (dipping) - कोटिंग्स का अनुभव 24 घंटे के भीतर 0 से 14 तक पीएच की पूरी अवधि। नैनो मिट्टी के बर्तनों कोटिंग-Si-O-Si-Si-combine नेटवर्क ऐसे नाटकीय रासायनिक परिवर्तन में hydrolyse/ollyte/acidate नहीं है - यह एक कार्बनिक कोटिंग (C-O-C चौराहे) है जो पूरी तरह से असंगत है। जीबी 51283-2020 ठीक रासायनिक उद्यमों के इंजीनियरिंग डिजाइन और रासायनिक उपकरणों के डिजाइन के लिए HG/T 20581-2020 कोड के लिए मानक।。

परिदृश्य 2: इलेक्ट्रोप्लाटिंग टैंक (chromatic एसिड / सल्फेट / साइनाइड)। क्रोमियम चढ़ाना सेल तरल में CrO3 (250-400g / L) + H2SO4 (2.5-4g / L) होते हैं - अत्यंत ऑक्सीकरण और अम्लीय (pH13)। नैनो मिट्टी के बर्तनों की कोटिंग Cr6+ (strength oxidizer) और CN-(strength बिट एजेंट) वातावरण में ऑक्सीकरण गिरावट या बिट विघटन का कारण नहीं है - यह पारंपरिक epoxy (aromatic संरचना ऑक्सीकरण) और polyurethane (carbamate कुंजी की अपर्याप्त क्षारीयता) दोनों के लिए संभव नहीं है।。

परिदृश्य III: सीवेज उपचार तालाब (H2S / NH3 / जंग संयुक्त)। एनारोबिक सीवेज उपचार से H2S (हाइड्रोजन सल्फाइड) को कमजोर एसिड बनाने के लिए पानी में भंग कर दिया जाता है - एक अम्लीय वातावरण जो ठोस पूल से संघनित पानी में pH3-5 में जमा होता है। उसी समय एनएच 3 (एमिनो) और वाष्पशील कार्बनिक अम्ल (एसिटिक एसिड / propyric एसिड / butyric एसिड) ने कोटिंग पर रासायनिक हमलों को संयुक्त किया है - नैनो मिट्टी के बर्तनों कोटिंग की रासायनिक जड़ता H2S/NH3 और कार्बनिक अम्ल के लिए इस परिदृश्य में एक महत्वपूर्ण सुरक्षा लाभ प्रदान करती है।。

दृश्य IV: स्क्रैप desulphurization प्रणाली (SO2/SO3 संक्षेपण)। गीला devulcanization (FGD) के बाद चिमनी का आंतरिक दीवार तापमान एसिड डॉट (लगभग 120-150 डिग्री सेल्सियस) के नीचे गिर जाता है - फ्लू गैस में शेष SO2 / SO3 को संघनित पानी झिल्ली में H2SO3 / H2SO4 (PH800 °C) में भंग कर दिया जाता है और मजबूत सल्फेट के साथ संघनित - Si-O-Si को इस्पात मैट्रिक्स सतह पर Fe-OH के साथ एक रासायनिक लंगर बनाने के लिए संरक्षित - साथ > 15 एमपीए (ra-la) - फ्लू गैस तापमान में पूर्ण कोटिंग (150-800 °C)।。

स्रोत: GB 51283-2020, HG/T 20581-2020, ZG-203 TDS, चीनी सोसाइटी ऑफ केमिकल जंग प्रोटेक्शन टेक्नोलॉजीज

सामान्य

Q: क्या नैनोफैट कोटिंग हाइड्रोफ्लोरिनेटेड एसिड (HF) का सामना कर सकती है

नहीं कर सकते। HF SiO2 और Al2O3 से है और8221; -Sio2 + 4HF → SiF4 ने 2H2O, Al2O3 + 6HF → 2AF3 + 3H2O-HF सीधे नैनोपॉलिमर और Si-O-Si इंटरफ़ेस नेटवर्क को भंग कर दिया। एचएफ (जैसे स्टेनलेस स्टील एसिड धोने, अर्धचालक नक्काशी) युक्त कार्य ग्रेफाइट / PTFE / PVDF फ्लोरीन लाइनर या फिनोल राल कोटिंग के अधीन है, जिसे नैनोSi / अल-की सिरेमिक के साथ लेपित नहीं किया जा सकता है।。

प्रश्न: क्या नैनोफैट कोटिंग का निर्माण सामान्य पेंट के समान है

आधार सामग्री उपचार आवश्यकताओं उच्च हैं - Sa2.5 (ISO 8501-1) के लिए थप्पड़, एंकरलाइन गहराई 50-75 मीटर - यह सुनिश्चित करना कि -Si-OR बेस Fe-OH के साथ पूरी तरह से संघनित है। एक लघु पोस्ट मिश्रित अनुप्रयोग अवधि (पॉट लाइफ) दो विधानसभा उपप्रणाली के (30-60min) - आवेदन की अवधि के दौरान समाप्त होने की आवश्यकता है। ठोसकरण की स्थिति: पोर्टेबल ताकत के लिए 24-48h (25 °C) का हाउस तापमान ठोसकरण, अवधि के दौरान पानी और रसायनों के संपर्क से बचने के लिए 7 दिनों (पूर्ण रासायनिक कनेक्शन) का पूरा ठोसकरण।。

प्रश्न: नैनो-FATAL कोटिंग्स की लागत और जीवनकाल

कच्चे पदार्थों की लागत पारंपरिक EPOXY की लगभग दो से चार गुना है। हालांकि, उच्च एसिड क्षार के मामले में - पारंपरिक EPOXY 1-2 साल के लिए फिर से पेंट किया जाता है - नैनोपॉलिमर कोटिंग्स को 8-15 साल के लिए डिज़ाइन किया गया है - 10 साल LCC को 50-70% से कम किया जा सकता है। रासायनिक प्रतिक्रिया दसियों से लाखों लोगों तक एक एकल शटडाउन हानि (क्षम + मैनुअल + कोटिंग सामग्री) है - दोहरीकरण रखरखाव चक्र का आर्थिक मूल्य कोटिंग सामग्री के लिए लागत अंतर से बहुत अधिक है।。

प्रश्न: हम नैनोपोर्टिक कोटिंग्स के प्रतिरोध का परीक्षण कैसे करते हैं

जीबी / टी 9274-2018 (फोटो पेंट और पेंट-प्रतिरोधी तरल मीडिया निर्धारण): निर्दिष्ट रसायनों (सेट तापमान और चक्र) में कोटिंग पैनलों को गर्भवती करें और हटाने के बाद बुलबुले का मूल्यांकन करें (एएसटीएम डी 714), जंग (एएसटीएम डी 610), क्रैकिंग (एएसटीएम डी 661), स्ट्रिपिंग (एएसटीएम डी 772) और विघटन (एएसटीएम डी 2244)। कोर सूचक: संसेचन और प्रतिधारण के 30 दिन > 80% (आईएसओ 4624), पेंसिल कठोरता > 80%, 20 ° प्रकाश परिवर्तन <10GU。

स्रोत: Atomfair UGL-9 टीडीएस, SIORESIN SIO-8161H टीडीएस, ZG-203 टीडीएस, ASTM D714/B117/ISO 4624, GB 51283-2020, HG/T 20581-2020

लेखक: पत्र प्रौद्योगिकी गुणवत्ता विभाग जुलाई 6th, 2026, गहराई। संस्करण